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半導體級晶體生長爐KX260MCZ-大連連城數控機器股份有限公司'
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半導體級晶體生長爐KX260MCZ

半導體級晶體生長爐KX260MCZ-大連連城數控機器股份有限公司'

  • 領先的全數字控制系統
  • 先進的熱場設計


半導體級晶體生長爐KX260MCZ
Performance  性能
  Typical Ingot Diameter 單晶直徑   200-400 mm (8-16 in)
  Pull Chamber Door Opening 副室門尺寸   508 x 2,362 mm (20 x 93 in)
  Throat Diameter 喉口直徑   457 mm (18 in)
  Seed Lift Rate 晶升速率    0-508 mm/hr
  Seed Jog Speed (Nominal)  籽晶快速提升速率(最大)   508 mm/min
  Total Crucible Travel 坩鍋最大行程   280 mm (19.6 in )
  Crucible Lift Rate 坩鍋提升速率   0-254 mm/hr
  Crucible Jog Speed (Nominal)  坩鍋快速提升速率(最大)   50.8 mm/min
  Seed Rotation (Reversible) 籽晶旋轉速率(可逆)   0-35 rpm
  Crucible Rotation (Reversible)  坩鍋旋轉速率(可逆)   0-20 rpm
  CUPS 主真空泵   14,200 l/min (300 cfm)
  (Min. recommended) Aux 輔真空泵   1,700 l/min (50 cfm)

Silicon Charge Capacity硅投料量
  *Hot Zones available to fit following crucible sizes 熱場尺寸取決于坩鍋直徑
  **Charges can be enhanced with Xtramelt? Feeder 使用 Xtramelt? 二次加料系統可提高裝料量
  Crucible Diameter*
  坩堝直徑
  Crucible Height*
  坩堝高度
  Charge Size Cold Pack
  冷裝投料量
  Enhanced Charge**
  復投裝料量
  28.0 in   17.0 in   240 kg   300 kg
  24.0 in   16.33 in   150 kg   180 kg
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