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鍺單晶生長爐KX100-Ge -大連連城數控機器股份有限公司'
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鍺單晶生長爐KX100-Ge

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  • 最優化的4-8英寸CZ法鍺單晶生長方案
  • 領先的全數字控制系統
  • 先進的熱場設計
  • 國際上鍺晶體生長公司的首選

鍺單晶生長爐KX100-Ge
Performance  性能
  Typical Ingot Diameter 單晶直徑   100-200 mm(4-8")
  Pull Chamber Height 副室高度   1750 mm (69”)
  Throat Diameter 喉口直徑   305 mm (12”)
  Furnace Diameter 爐室內徑   865 mm
  Seed Lift Rate 籽晶提升速率   0-508 mm/hr
  Seed Jog Speed (Nominal) 籽晶快速提升速率(最大)   508 mm/min
  Total Crucible Travel 坩鍋最大行程   380 mm (15")
  Crucible Lift Rate 坩鍋提升速率   0-254 mm/hr
  Crucible Jog Speed (Nominal)  坩鍋快速提升速率(最大)   50.8 mm/min
  Seed Rotation (Reversible) 籽晶旋轉速率(可逆)   0-50 rpm
  Crucible Rotation (Reversible)  坩鍋旋轉速率(可逆)   0-20 rpm

Silicon Charge Capacity硅投料量
  Hot zones are available to fit the following crucible sizes. 熱場尺寸取決于坩鍋直徑
  Crucible Diameter
  坩鍋直徑
  Crucible Height
  坩鍋高度
  Charge Size
  投料量
  20.0 in   15.0 in   120 kg
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